收藏本站
IXFH 35N30
IXFM 35N30
IXFH 40N30
IXFM 40N30
10
Fig.7 Gate Charge Characteristic Curve
Fig.8 Forward Bias Safe Operating Area
8
6
4
2
V DS = 150V
I D = 21A
I G = 10mA
100 Limited by R DS(on)
10
10μs
100μs
1ms
10ms
100ms
0
0
25
50
75
100 125 150 175 200
1
1
10
100
300
Gate Charge - nCoulombs
Fig.9 Capacitance Curves
V DS - Volts
Fig.10 Source Current vs. Source
4500
4000
3500
3000
C iss
f = 1 MHz
V DS = 25V
80
70
60
50
2500
2000
40
30
T J = 125 °C
1500
1000
500
0
C oss
C rss
20
10
0
T J = 25 °C
0
5
10
15
20
25
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1
Vds - Volts
Fig.11 Transient Thermal Impedance
D=0.5
V SD - Volts
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
0.01 D=0.02
D=0.01
Single Pulse
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
Time - Seconds
? 2000 IXYS All rights reserved
4-4
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXFH42N60P3 MOSFET N-CH 600V 42A TO247
IXFH44N50Q3 MOSFET N-CH 500V 44A TO-247
IXFH60N20 MOSFET N-CH 200V 60A TO-247
IXFH66N20Q MOSFET N-CH 200V 66A TO-247
IXFH6N120P MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247
IXFH6N120 MOSFET N-CH 1200V 6A TO-247
IXFH6N90 MOSFET N-CH 900V 6A TO-247AD
IXFH70N30Q3 MOSFET N-CH 300V 70A TO-247
相关代理商/技术参数
IXFH40N30 制造商:IXYS Corporation 功能描述:MOSFET N TO-247
IXFH40N30Q 功能描述:MOSFET 300V 40A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH40N30Q_11 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q-Class
IXFH40N30S 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 300V V(BR)DSS | 40A I(D) | TO-264AA
IXFH40N50Q 功能描述:MOSFET 500V 40A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH40N50Q2 功能描述:MOSFET 40 Amps 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFH40N50Q2_08 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs Q2-Class
IXFH42N20 功能描述:MOSFET 42 Amps 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube